上海保迪增浩有限公司碳化硅MOSFET业务部

基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在光伏逆变器中的应用组串式逆变器是基于模块化概念基础上的，每个光伏组串通过一个逆变器，多块电池板组成一个组串，接入小功率单相逆变器在直流端具有最大功率峰值跟踪，在交流端并联并网，已成为现在全球市场上最流行的逆变器。拓扑结构采用DC－DC－BOOST升压（MPPT）和DC－AC全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为IP65。体积较小，可室外壁挂式安装。组串光伏逆变器有多路MPPT，每路MPPT器件选型为B2M035120YP*1（电流能力更大，支持更高功率的光伏电池板接入），或者B2M040120Z*1+碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.（1）MPPT选择基本半导体SiC碳化硅功率器件方案的逻辑：   组串式逆变器早期旧方案中的开关管需要用两颗40A/1200V IGBT并联或者75A/1200V IGBT，升压二极管是1200V 60A Si FRD，开关管的开关频率只有16kHz~18kHz   而新方案选用基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET开关频率为40kHz，且单路MPPT不用并联开关器件，同时大幅度减小了磁性元件的体积和成本，并且SiC MOSFET的壳温低于100℃，提升了系统可靠性。   系统厂商评估过采用基本半导体第二代SiC... [详细介绍]